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Datei:Silicon dislocation orientation 111 mag 500x.png

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Silicon_dislocation_orientation_111_mag_500x.png (768 × 576 Pixel, Dateigröße: 650 KB, MIME-Typ: image/png)

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Beschreibung

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Title: Dislocations in Si crystal, orientation 111

  • Desc: Image of dislocations in Si crystal made using interference microscope with 500x magnification. Crystal orientation can be determined by the triangular (pyramidal) shape of dislocations.
  • Author: Twisp
  • Date: 24.08.2005
Datum 13. September 2005 (Original-Hochladedatum)
Quelle Die Autorenschaft wurde nicht in einer maschinell lesbaren Form angegeben. Es wird angenommen, dass es sich um ein eigenes Werk handelt (basierend auf den Rechteinhaber-Angaben).
Urheber Die Autorenschaft wurde nicht in einer maschinell lesbaren Form angegeben. Es wird Twisp als Autor angenommen (basierend auf den Rechteinhaber-Angaben).

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aktuell01:15, 13. Sep. 2005Vorschaubild der Version vom 01:15, 13. Sep. 2005768 × 576 (650 KB)Twisp* Title: Dislocations in Si crystal, orientation 111 * Desc: Image of dislocations in Si crystal made using interference microscope with 500x magnification. Crystal orientation can be determined by the triangular (pyramidal) shape of dislocations. * Autho

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